碳化硅
专利列表
授权发明专利45项：
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序号
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专利名称
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发明人
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专利权人
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专利号
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类型
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申请日
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授权公告日
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1
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一种碳化硅晶体生长装置
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陈小龙、吴星、李河清、倪代秦、胡伯清、李金成
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中国科学院物理研究所
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ZL200310113521.X
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发明
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2003/11/14
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2006/3/29
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2
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一种SiC单晶生长压力自动控制装置
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陈小龙、吴星、李河清、倪代秦、胡伯清
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中国科学院物理研究所
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ZL200310113522.4
|
发明
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2003/11/14
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2006/3/29
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3
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物理气相传输生长碳化硅单晶的方法及其装置
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陈小龙、吴星、李河清、倪代秦、胡伯清
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中国科学院物理研究所
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ZL200310113523.9
|
发明
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2003/11/14
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2006/6/28
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4
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一种碳化硅单晶生长后的热处理方法
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朱丽娜、陈小龙、倪代秦、杨慧、彭同华
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中国科学院物理研究所
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ZL200610081294.0
|
发明
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2006/5/29
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2008/7/9
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5
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一种用于碳化硅的欧姆电极结构的制造方法
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陈小龙、杨慧、彭同华、王文军、王皖燕
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中国科学院物理研究所
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ZL200810104843.0
|
发明
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2008/4/24
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2010/10/13
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6
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一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托
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陈小龙、 彭同华、杨慧、王文军、倪代秦、王皖燕
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中国科学院物理研究所
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ZL200810106313.X
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发明
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2008/5/12
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2012/2/1
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7
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研磨液、研磨液的制备方法和使用该研磨液的研磨方法
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张贺、娄艳芳、胡伯清、王锡铭、彭同华、陈小龙
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北京天科合达蓝光半导体有限公司，中国科学院物理研究所
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ZL200910236733.4
|
发明
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2009/11/5
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2013/10/23
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8
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一种籽晶处理方法和生长碳化硅单晶的方法
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王波、陈小龙、彭同华、鲍慧强、刘春俊、李龙远、王刚
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新疆天科合达蓝光半导体有限公司，北京天科合达蓝光半导体有限公司，中国科学院物理研究所
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ZL200910236735.3
|
发明
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2009/11/5
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2013/12/18
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9
|
一种用于生长高质量导电型碳化硅晶体的方法
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陈小龙、鲍慧强、彭同华、王刚、刘春俊、王波、李龙远
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中国科学院物理研究所，北京天科合达蓝光半导体有限公司
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ZL200910238111.5
|
发明
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2009/11/18
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2012/2/22
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10
|
一种制备高纯半绝缘碳化硅晶体的方法
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陈小龙、刘春俊、王波、彭同华、鲍慧强、王文军、王皖燕、王刚、李龙远
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中国科学院物理研究所，北京天科合达蓝光半导体有限公司
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ZL200910238110.0
|
发明
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2009/11/18
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2013/9/4
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11
|
一种降低碳化硅晶体应力的退火工艺
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彭同华、汪波、李龙远、陈小龙、刘春俊、李河清、朱丽娜、吴星、倪代秦、王文军、王刚、王皖燕
|
新疆天科合达蓝光半导体有限公司，北京天科合达蓝光半导体有限公司，中国科学院物理研究所
|
ZL200910243520.4
|
发明
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2009/12/24
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2013/3/20
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12
|
多线切割机分段切割碳化硅晶体的方法
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汪良、曹智、张贺、彭同华、李龙远、郑红军、陈小龙
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北京天科合达蓝光半导体有限公司，苏州天科合达蓝光半导体有限公司，中国科学院物理研究所
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ZL201010179835.X
|
发明
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2010/5/21
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2013/10/23
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13
|
一种清洗碳化硅晶片表面污染物的方法
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郭钰、陈小龙、王波、张贺、王锡铭、彭同华、郭晨丽、鲍惠强、李龙远、郑红军
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北京天科合达蓝光半导体有限公司，苏州天科合达蓝光半导体有限公司，中国科学院物理研究所
|
ZL201010179864.6
|
发明
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2010/5/21
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2014/5/14
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14
|
一种碳化硅晶体退火工艺
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王波、陈小龙、李龙远、刘春俊、彭同华、王刚
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北京天科合达蓝光半导体有限公司，中国科学院物理研究所
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ZL201010588052.7
|
发明
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2010/12/14
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2014/8/6
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15
|
高质量碳化硅表面的获得方法
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陈小龙、黄青松、郭丽伟、王锡铭、郑红军
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北京天科合达蓝光半导体有限公司，中国科学院物理研究所
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ZL201010588043.8
|
发明
|
2010/12/14
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2014/11/5
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16
|
一种碳化硅单晶晶片表面及平整度的调整方法
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陈小龙、黄青松、王波、王锡铭、李龙远、郑红军、郭钰
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北京天科合达蓝光半导体有限公司，中国科学院物理研究所
|
ZL201010588030.0
|
发明
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2010/12/14
|
2014/5/21
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17
|
半绝缘碳化硅单晶
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陈小龙、刘春俊、彭同华、李龙远、王刚、刘宇
|
中国科学院物理研究所
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ZL201010617348.7
|
发明
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2010/12/31
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2015/5/27
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18
|
物理气相传输法生长碳化硅单晶及碳化硅单晶的原位退火工艺
|
陈小龙、王波、李龙远、彭同华、刘春俊、王文军、王刚
|
北京天科合达蓝光半导体有限公司，中国科学院物理研究所
|
US9340898 B2
|
美国
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2011/11/11
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2016/05/17
|
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19
|
物理气相传输法生长碳化硅单晶及碳化硅单晶的原位退火工艺
|
陈小龙、王波、李龙远、彭同华、刘春俊、王文军、王刚
|
北京天科合达蓝光半导体有限公司，中国科学院物理研究所
|
特许第5450895号
|
日本
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2011/11/11
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2014/1/10
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20
|
半绝缘碳化硅单晶及其生长方法
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陈小龙、刘春俊、彭同华、李龙远、王波、王刚、王文军、刘宇
|
中国科学院物理研究所
|
特许第5657109号
|
日本
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2011/ 12/6
|
2014/12/5
|
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21
|
半绝缘碳化硅单晶及其生长方法
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陈小龙、刘春俊、彭同华、李龙远、王波、王刚、王文军、刘宇
|
中国科学院物理研究所
|
US9893152B2
|
美国
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2011/12/6
|
2018/2/13
|
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22
|
用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件
|
陈小龙、王顺冲、彭同华、王刚、刘春俊、王文军、金士锋
|
中国科学院物理研究所
|
ZL201210004093.6
|
发明
|
2012/1/6
|
2016/04/27
|
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23
|
用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件
|
陈小龙、王顺冲、彭同华、王刚、刘春俊、王文军、金士锋
|
中国科学院物理研究所
|
US9500931 B2
|
美国
|
2012/1/6
|
2016/11/22
|
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24
|
用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件
|
陈小龙、王顺冲、彭同华、王刚、刘春俊、王文军、金士锋
|
中国科学院物理研究所
|
特许第5898341号
|
日本
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2012/1/6
|
2016/03/11
|
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25
|
一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺
|
王波、彭同华、刘春俊、赵宁、娄艳芳、王文军、王刚、陈小龙
|
中国科学院物理研究所
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ZL201210432144.5
|
发明
|
2012/11/2
|
2015/11/18
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26
|
一种碳化硅表面处理方法
|
郭丽伟、 芦伟、 贾玉萍、 郭钰、李治林、 陈小龙
|
中国科学院物理研究所
|
ZL201410072719.6
|
发明
|
2014/2/28
|
2017/11/14
|
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27
|
一种高质量碳化硅晶体生长的方法
|
刘春俊、彭同华、陈小龙、王波、赵宁
|
北京天科合达半导体股份有限公司，中国科学院物理研究所
|
ZL201410754298.5
|
发明
|
2014/12/10
|
2018/11/30
|
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28
|
分体式钽坩埚及其制造方法
|
陈小龙、鲍慧强、王刚、王文军、李龙远、李辉
|
中国科学院物理研究所
|
ZL200710175320.0
|
发明
|
2007/9/28
|
2009/8/5
|
|
29
|
一种双折射硼酸盐系晶体的用途
|
陈小龙、何明、王皖燕、蔡格梅、许燕萍、刘军
|
中国科学院物理研究所
|
ZL200810084388.2
|
发明
|
2008/3/20
|
2013/1/23
|
|
30
|
在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法
|
陈小龙、黄青松、王文军、王皖燕、杨蓉
|
中国科学院物理研究所
|
ZL200910077648.8
|
发明
|
2009/2/10
|
2014/4/2
|
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31
|
一种在碳化硅基底上外延生长的冷阴极场发射材料及方法
|
陈小龙、黄青松、王刚、王文军、王皖燕、郭丽伟、林菁菁、贾玉萍、李康、彭同华
|
中国科学院物理研究所
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ZL200910243028.7
|
发明
|
2009/12/22
|
2012/9/5
|
|
32
|
在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及石墨烯和石墨烯器件
|
陈小龙、郭丽伟、林菁菁、李康、贾玉萍、王文军、王刚
|
中国科学院物理研究所
|
ZL201010256345.5
|
发明
|
2010/8/17
|
2013/4/3
|
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33
|
一种氮化铝固体激光器及其制备方法
|
陈小龙、姜良宝、王文军、左思斌、鲍慧强、李辉、王军
|
中国科学院物理研究所
|
ZL201110124314.9
|
发明
|
2011/5/13
|
2014/5/7
|
|
34
|
一种激光晶体及其制备方法和用途
|
陈小龙、姜良宝、王文军、左思斌、鲍慧强、李辉、王军
|
中国科学院物理研究所
|
ZL201110124321.9
|
发明
|
2011/5/13
|
2015/9/16
|
|
35
|
SiC纳米晶/石墨烯异质结及制备方法和应用
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陈小龙、郭丽伟、林菁菁、朱开兴、贾玉萍
|
中国科学院物理研究所
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ZL201110202795.0
|
发明
|
2011/7/19
|
2016/1/13
|
|
36
|
一种硼掺杂石墨烯的制备方法
|
陈小龙、郭丽伟、李治林、芦伟、贾玉萍、陈莲莲、郭钰、王刚、王文军
|
中国科学院物理研究所
|
ZL201310556311.1
|
发明
|
2013/11/11
|
2015/11/25
|
|
37
|
一种在碳化硅衬底上生长P型石墨烯的方法
|
郭鈺、陈小龙、郭丽伟、芦伟、贾玉萍
|
中国科学院物理研究所
|
ZL201410171889.X
|
发明
|
2014/4/25
|
2017/6/6
|
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38
|
一种在半绝缘硅面碳化硅上原位外延生长石墨烯PN结的方法
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郭丽伟、王逸非、陈小龙、贾玉萍
|
中国科学院物理研究所
|
ZL201410305672.3
|
发明
|
2014/6/30
|
2017/3/15
|
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39
|
紫外探测器
|
陈小龙、郭丽伟、黄郊、贾玉萍、芦伟
|
中国科学院物理研究所
|
ZL201410327756.7
|
发明
|
2014/7/10
|
2017/11/7
|
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40
|
一种基于石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器
|
郭丽伟、陈小龙、贾玉萍
|
中国科学院物理研究所
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ZL201410602352.4
|
发明
|
2014/10/31
|
2017/2/22
|
|
41
|
一种光伏装置和一种产生光伏效应的方法
|
郭丽伟、陈小龙
|
中国科学院物理研究所
|
ZL201510164655.7
|
发明
|
2015/4/9
|
2017/12/26
|
|
42
|
一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法
|
郭丽伟、陈小龙、黄郊、史哲
|
中国科学院物理研究所
|
ZL201510598628.0
|
发明
|
2015/9/18
|
2018/3/2
|
|
43
|
一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法
|
郭丽伟、杨军伟、陈小龙
|
中国科学院物理研究所
|
ZL201510736568.4
|
发明
|
2015/11/3
|
2018/6/26
|
|
44
|
一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法
|
郭丽伟、甘弟、陈小龙
|
中国科学院物理研究所
|
ZL201610298401.9
|
发明
|
2016/5/6
|
2019/4/5
|
|
45
|
一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法
|
郭丽伟、杨军伟、陈小龙
|
中国科学院物理研究所
|
ZL201610357622.9
|
发明
|
2016/5/26
|
2019/4/5
|