Laboratory of Advanced Materials & Structure Analysis (A02)

研究方向一：碳化硅（SiC）单晶

　　碳化硅（SiC）是发展高功率电力电子器件的关键基础材料，在新能源汽车、光伏和轨道交通等领域具有重要的地位，国家“十四五”规划将SiC列为重点攻关的信息电子材料之一。目前，SiC单晶衬底在终端器件总成本中占比达45%，在一定程度上限制了SiC的应用。发展新的生长技术制备大尺寸SiC单晶，降低器件的成本，是目前国内外学术界和产业界重点关注的研究方向。研究组将重点发展物理气相法技术，特别是降低位错、控制相变和提高生长速率的有效途径。同时发展新的生长技术如高温液相法等，生长高良率和不同掺杂类型的SiC单晶。

研究方向二：新电磁晶体材料

　　高质量晶体在新材料探索、物性调控和本征机理研究方面起着至关重要的作用。不同材料的晶体生长习性各异，需根据相图和热力学计算，制定合适的方法，生长高质量单晶，结合原位和精细的物性调控技术，深入研究物性演化的内禀机理。同时，以构筑功能基元及调控其堆垛、排列方式的思路探索新化合物，围绕关联体系中的超导、磁有序和电荷有序及拓扑效应，揭示功能基元序构与物性蕴含的规律，推动凝聚态物理和材料物理等学科交叉融合。

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